设为首页 - 加入收藏
广告 1000x90
您的当前位置:78345黄大仙综合查询 > 结温 > 正文

为什么MOSFET会发生热失控

来源:未知 编辑:admin 时间:2019-06-11

  一旦VGS超过阈值电压,这个更大的电流反过来又提高了MOSFET的内部温度,因此当工作在线性区中时,MOSFET内一部分会发生热失控过程。

  然而,在饱和区中,该过程是相反的:导通电阻随着结温而增大,限制了电流,因此拖延了热失控。为了获得良好的SOA性能,一个理想的FET应该具有低ZTC点,以减少热失控的可能性。

  使用SOA数据来管理线性区的操作,任何电子元件获得过大功率都可能无法工作。导通时,MOSFET具有正温度系数,对于任何指定的栅源电压,它在更高的结温下具有更大的灌电流。

  MOSFET特别容易受到过大功率的危害,因为所施加的功率会导致自加热,从而导致线性区热失控。

  这就是为什么MOSFET制造商会为每个器件给出安全操作曲线,用于表示在直流和脉冲模式中、线性区和饱和区内,MOSFET的什么操作是安全的。

  富昌电子[Future Electronics]是全球知名的[panduit]等数百家全球知名半导体供应商,覆盖[开关二极管]等众多产品线AA]。

本文链接:http://ussmaghani.com/jiewen/294.html

相关推荐:

网友评论:

栏目分类

现金彩票 联系QQ:24498872301 邮箱:24498872301@qq.com

Copyright © 2002-2011 DEDECMS. 现金彩票 版权所有 Power by DedeCms

Top